4月20日消息，強茂半導體推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基勢壘二極管系列，與硅基礎的組件相比，它們提供了出色的開關性能和更高的可靠性。 強茂最新發(fā)布的650V和1200V碳化硅二極管產品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252AA和新增加TO-247AD-2LD/3LD封裝，額定電流范圍為4安培（A）至40安培（A）。

強茂的碳化硅肖特基勢壘二極管具有零反向恢復電流，低正向壓降，高溫獨立切換開關特性，高浪涌電流能力和出色的熱性能。此外，碳化硅技術可以在-55°C至+ 175°C的工作溫度范圍內提供較低的傳導損耗，并具有穩(wěn)定性和高耐用性。

新型碳化硅肖特基勢壘二極管旨在為工程師設計各種應用的功率轉換電路，包括PV逆變器，EV充電樁，工業(yè)電機，電信和服務器電源以及家用電器，在這些應用中，他們面臨著如何在更高的系統效率下實現更小的占板面積的挑戰(zhàn)。 強茂提供的650V和1200V碳化硅二極管，是下一代電源系統設計的理想解決方案。

產品性能：

SiC SBD產品陣容：

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