今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。

按照長存的說法，這款產(chǎn)品的獨特之處在于，它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

值得一提的是，此次同步登場的還有128層TLC閃存（X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)。

性能方面，長存透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，3D QLC單顆容量高達1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。

據(jù)悉，兩款產(chǎn)品均采用長存自研Xtacking 2.0架構，外圍電路和存儲單元可堆疊，帶來極佳的擴展性。

不得不說，作為國產(chǎn)3D閃存中的佼佼者，長存3年時間實現(xiàn)32層到64層再到128層的跨越，追上日韓美廠商的先進水平，令人矚目。

長存在3D TLC/QLC閃存上的進軍，也將為全行業(yè)深入普及SSD做出貢獻，我們可以期待相關終端產(chǎn)品盡快上市和應用。

生成海報

免責聲明：本網(wǎng)站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權或存在不實內容時，應及時向本網(wǎng)站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。